高速eFuseによりSiC/GaNパワーデバイスの安全性向上

従来のヒューズでは実現できなかった高速な応答速度と高精度な電流制限機能により、SiC/GaNパワーデバイスを安全に保護し、システム全体の性能向上に貢献する旭化成エレクトロニクスとSALの検証

🟦高速eFuseによりSiC/GaNパワーデバイスの安全性向上｜あさって　電子立国日本の半導体 (note.com)
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