東京大学とNTTが窒化アルミニウム系デバイスの画期的成果を発表

東京大学とNTTが共同開発した窒化アルミニウム（AlN）系半導体を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）は、電力変換効率の向上を可能にする画期的な成果です。AlNの特性を活かすことで、エネルギー損失を大幅に削減できるため、電気自動車や再生可能エネルギーの普及に貢献することが期待されています。

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