ネクスペリア、1200V SiC MOSFETをQDPAKで刷新　トップサイド冷却で高出力化と放熱性能を大幅強化

　ネクスペリアが発表したQDPAK採用1200V SiC MOSFETは、優れたSiC性能に加え、トップサイドクーリングによる高い放熱性能と実装性を実現した製品です。EVやAIデータセンターの成長によって、SiC市場の競争はチップ性能だけでなく、熱設計やシステム全体の最適化へと移りつつあります。

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